从Kaist Teralab的HBM4到HBM8，韩国提供了HBM内存的长

他于6月13日报道说，Kim Jungo是Kaist韩国科学院子公司Teralab的学者，他被一些行业专家称为“ HBM的父亲”。在本月的会议上，他向HBM8介绍了长期的HBM4。老师认为，HBM内存中的I/O数在HBM5，HBM7和HBM8中将增加3次，并且堆叠层的数量，单层容量和销速度也将在阶段增加。工会技术从现有的微圆形变为铜的直接铜联合（混合结合）。随着这一代的进化，HBM电池加热也将逐渐增加，从而增加了散热的需求。金·朱戈（Kim Joungo）还分享了他对未来HBM内存技术一代重点的看法。传统的HBM4 HBM电池仅包括个性化的DRAM芯片，而HBM骰子中的HBM可以预期使用LPDDR控制器为HBM存储系统添加新层，有效地利用了优势。F传统模式中的不活动资源。 HBM5达到HBM5后，储能电池有望在存储器计算机块附近包含NMC。这意味着降低HBM和AI XPU之间的传输带宽，从而提高计算机操作的位置，并提高系统性能和能源效率。 HBM6中的所有当前HBM都是独特的塔结构，其基部骰子对应于DRAM电池。预计HBM6将使用单个大型骰子骰子形成双层柱的物理形状。同时，NMC单元也到达堆栈的底部。同时，XPU-HBM 2.5D软件包使用硅硅桥连接，这限制了芯片化合物Ultra Grandes的扩展功能。具有玻璃基板的硅化合物意图的结构允许整合多个GPU模块。 HBM7的HBM7专注于由HBM和HBF组成的几个级别存储系统，将多功能桥嵌入戏剧电池试图改善信号并添加其他功能。此外，HBM7还引入了一个集成的冷却系统，以解决由高性能引起的加热问题。 Kim Joungho的最遥远的视角HBM8认为，在这一点上，Chips Complex不仅可以使用整个软件包来适应HBM的内存，还可以用于存储扩展的后部分，并且将牢固地集成了热量耗散。